2SA102 Transistor BJT PNP 40V 10mA Germanio TO-1-3

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Descripción

TOSHIBA 2SA102 Transistor BJT PNP 40V 10mA Germanio TO-1

Especificaciones Técnicas

Nº de Parte del Fabricante (NPM) 2SA102
Recomendado para nuevos diseños: SI
Producto BJT
Montaje PTH
Encapsulado TO-1
Polaridad PNP
Disipación de Potencia Pd 60mW
Número de Terminales 3
Configuración Sencillo
Voltaje Colector Emisor Vceo 40V
Corriente del Colector Ic 10mA
Voltaje Base Emisor Vebo 0.7V

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