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RJP30H1DPD Transistor IGBT Canal N 360V 30A

RJP30H1DPD Transistor IGBT Canal N 360V 30A, TO-252, DPAK SMD

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Descripción

Transistor IGBT Canal N 360V 30A, TO-252, DPAK SMD

Especificaciones Técnicas

Fabricante RENESAS
Nº de Parte del Fabricante (NPM) RJP30H1DPD
Recomendado para nuevos diseños: SI

Ficha Técnica (Hoja de Datos, Datasheet, Manuales, etc)

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